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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN33D8LVQ 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN33D8LVQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN33D8LVQ
  • 名稱 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT563

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN33D8LVQ  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN33D8LVQ 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN33D8LVQ
名稱                雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                SOT563

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.35 A
PD @TA = +25°C (W) 0.43 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 7000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.8 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5 nC
CISS Typ (pF) 48 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 5 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極

 

相關(guān)型號(hào)
DMN33D8LV
DMN33D8LVQ
DMN33D9LV
DMN3401LDW
DMN3401LDWQ
DMN3401LV
DMN3401LVQ
DMN3404L
DMN3730UFB
DMN3730UFB4
DMN3731U
DMN3731UFB4
DMN3732UFB4
DMN3732UFB4Q
DMN3900UFA
DMN39M1LFVW
DMN39M1LK3
DMN4008LFG
DMN4010LFG
DMN4010LK3
DMN4020LFDE
DMN4020LFDEQ
DMN4026SK3
DMN4026SSD
DMN4027SSD
DMN4030LK3
DMN4030LK3Q
DMN4034SSD
DMN4034SSS
DMN4034SSSQ

 

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