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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN3401LDW 30V 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN3401LDW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN3401LDW
  • 名稱(chēng) 30V 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT563

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3401LDW

 
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3401LDW 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN3401LDW
名稱(chēng)                30V 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                SOT563

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.8 A
PD @TA = +25°C (W) 0.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 700 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.6 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.2 nC
CISS Typ (pF) 50 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
雙 N 溝道 MOSFET
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極

 

相關(guān)型號(hào)
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