產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3730UFB4 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（打開）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其高效電源管理應(yīng)用的理想選擇

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN3730UFB4
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                X2-DFN1006-3

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.9 A
PD @TA = +25°C (W) 0.69 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 460 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 560 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 730 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.6 nC
CISS Typ (pF) 64.3 pF

主要特征
0.4mm超薄封裝，適用于薄型應(yīng)用
0.6mm2封裝面積，比SOT23小10倍
低VGS（th），可直接由電池驅(qū)動(dòng)
RDS低（打開）

相關(guān)型號
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