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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN4008LFG 40V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN4008LFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN4008LFG
  • 名稱 40V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 POWERDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN4008LFG 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN4008LFG 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN4008LFG
名稱                40V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                POWERDI?3333-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14.4 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 7.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 20 (@3.3V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 34 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 74 nC
CISS Typ (pF) 3537 pF

 

主要特征
低RDS(ON)–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸熱效封裝,實現(xiàn)更高
密度最終產(chǎn)品
僅占SO-8占用的板面積的33%
較小的最終產(chǎn)品

 

相關(guān)型號
DMN33D8LV
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DMN3401LDW
DMN3401LDWQ
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