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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN4020LFDEQ 40V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管 汽車款

型號: DMN4020LFDEQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN4020LFDEQ
  • 名稱 40V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (Type E)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN4020LFDEQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN4020LFDEQ 這種MOSFET的設(shè)計滿足汽車應(yīng)用。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),并由 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN4020LFDEQ
名稱                40V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                U-DFN2020-6 (Type E)

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 21 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.3 nC
CISS Typ (pF) 1201 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V

 

主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積為 4mm2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻

 

相關(guān)型號
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