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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN4026SK3 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN4026SK3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN4026SK3
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO252

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN4026SK3

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN4026SK3 這種 MOSFET 的設(shè)計(jì)旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))并保持卓越的開關(guān)性能,使其非常適合高效率電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN4026SK3
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                TO252

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 28 A
PD @TA = +25°C (W) 3.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 24 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 32 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 21.3 nC
CISS Typ (pF) 1181 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V

 

主要特征
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測(cè)試
低導(dǎo)通電阻
開關(guān)速度快

 

相關(guān)型號(hào)
DMN33D8LV
DMN33D8LVQ
DMN33D9LV
DMN3401LDW
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DMN3401LV
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