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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN4060SVT N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN4060SVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN4060SVT
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN4060SVT 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN4060SVT這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低狀態(tài)電阻(RDS(on)),同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能,是高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN4060SVT
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                TSOT26

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 45 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 46 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 62 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 22.4 nC

 

主要特征
低輸入電容
低導(dǎo)通電阻
切換速度快

 

相關(guān)型號(hào)
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