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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN52D0UVA 50V 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMN52D0UVA

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN52D0UVA
  • 名稱 50V 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT563

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN52D0UVA 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN52D0UVA 這這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN52D0UVA
名稱                50V 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                 SOT563

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 50 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.48@5V A
PD @TA = +25°C (W) 0.89 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 2000@5V mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 4000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.49 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.5 nC
CISS Typ (pF) 39 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

 

主要特征
雙 N 溝道 MOSFET
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓,最大值 1.0V
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
超小型表面貼裝封裝
靜電放電保護(hù)

 

相關(guān)型號
DMN4036LK3
DMN4060SVT
DMN4060SVTQ
DMN4468LSS
DMN4800LSS
DMN4800LSSL
DMN4800LSSQ
DMN5040LSS
DMN52D0LT
DMN52D0U
DMN52D0UQ
DMN52D0UV
DMN52D0UVA
DMN53D0L
DMN53D0LDW
DMN53D0LDWQ
DMN53D0LQ
DMN53D0LT
DMN53D0LTQ
DMN53D0LV
DMN53D0LW
DMN53D0U
DMN6010SCTB
DMN6010SCTBQ
DMN6013LFG
DMN6013LFGQ
DMN6017SFV
DMN6017SK3
DMN601DMK
DMN601DWK
DMN601DWKQ
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DMN601TK
DMN601WK
DMN601WKQ

 

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