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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN53D0LDWQ 50V 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN53D0LDWQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) 型號(hào)
  • 名稱 50V 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT363

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN53D0LDWQ 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN53D0LDWQ這種MOSFET 在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),并由 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN53D0LDWQ
名稱                50V 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                SOT363

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 50 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.46 A
PD @TA = +25°C (W) 0.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 1600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 2500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 4500 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.4 nC
CISS Typ (pF) 49.5 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

 

主要特征
雙 N 溝道 MOSFET
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
小型表面貼裝封裝
靜電放電保護(hù)

 

相關(guān)型號(hào)
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