產品簡介
DIODES 的 DMNH10H028SK3 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON））同時保持卓越的切換性能，使其成為理想之選用于高效電源管理應用。

產品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMNH10H028SK3
名稱                100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地                臺灣
封裝                PowerDI?5060-8

產品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 40 A
PD @TA = +25°C (W) 2.9 W
PD @TC = +25°C (W) 166 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 36 nC
CISS Typ (pF) 2245 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V

主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應開關 – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應用
熱效率封裝冷卻器運行應用
高轉換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關速度快
<1.1mm 封裝外形 – 薄型應用的理想選擇

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