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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMNH4004SPS 40V N 溝道 175°C MOSFET 晶體管

型號: DMNH4004SPS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMNH4004SPS
  • 名稱 40V N 溝道 175°C MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMNH4004SPS 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMNH4004SPS 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMNH4004SPS
名稱                40V N 溝道 175°C MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                 PowerDI5060-8

 

產(chǎn)品參數(shù)

AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40 nC
CISS Typ (pF) 2284 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

 

主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
低 RDS(ON) – 最大限度地減少功率損耗
低 Qg – 最大限度地減少開關(guān)損耗
<1.1mm 封裝外形 – 薄型應(yīng)用的理想選擇

 

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