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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMNH6065SPDW 60V +175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMNH6065SPDW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMNH6065SPDW
  • 名稱 60V +175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMNH6065SPDW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMNH6065SPDW 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMNH6065SPDW
名稱                60V +175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                PowerDI?5060-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 27 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
PD @TC = +25°C (W) 68 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 65 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 79 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 9.5 nC
CISS Typ (pF) 466 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

 

主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
低輸入電容
用于改進(jìn)光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)面

 

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