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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP2035UFDF P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMP2035UFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP2035UFDF
  • 名稱 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2035UFDF 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP2035UFDF 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMP2035UFDF
名稱                P  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                U-DFN2020-6

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 39 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 60 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20.5 nC
CISS Typ (pF) 1808 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15

 

主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積 4mm 2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻
ESD保護(hù)柵極

 

相關(guān)型號(hào)
DMP2016UFDF
DMP2018LFK
DMP2021UFDE
DMP2021UFDF
DMP2021UTS
DMP2021UTSQ
DMP2022LSS
DMP2022LSSQ
DMP2023UFDF
DMP2033UVT
DMP2035U
DMP2035UFCL
DMP2035UFDF
DMP2035UTS
DMP2035UVT
DMP2035UVTQ
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DMP2040UFDF
DMP2040UND
DMP2040USD
DMP2040USS
DMP2040UVT
DMP2040UVTQ
DMP2042UCP4
DMP2043UCA3
DMP2045U
DMP2045UFDB
DMP2045UFY4
DMP2045UQ
DMP2047UCB4
DMP2065U
DMP2065UFDB
DMP2065UQ
DMP2066LSN
DMP2066LVT
DMP2066UFDE
DMP2067LSS
DMP2067LVT
DMP2067LVTQ
DMP2069UFY4
DMP2069UFY4Q

 

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