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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP2045UFDB 雙P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMP2045UFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP2045UFDB
  • 名稱 雙P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2045UFDB  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP2045UFDB 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,這使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMP2045UFDB
名稱                雙P  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                TSOT26


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.29 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 90 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 120 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.8 nC
CISS Typ (pF) 634 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
PCB 占地面積為 4mm2
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
薄型,最大高度 0.6mm
ESD保護(hù)柵極


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