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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMP2065UFDB 雙P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMP2065UFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP2065UFDB
  • 名稱(chēng) 雙P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2065UFDB  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP2065UFDB 這該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMP2065UFDB
名稱(chēng)                  雙P  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.54 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 50 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 100 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 150 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9.1 nC
CISS Typ (pF) 752 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


相關(guān)型號(hào)
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DMP2018LFK
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DMP2021UFDF
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DMP2066LVT
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