產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP26M1UFG 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMP26M1UFG
名稱 20VP 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 71 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 7.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 12 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 75 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 164 nC
CISS Typ (pF) 5392 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低 RDS(on) – 確保導(dǎo)通狀態(tài)損耗最小化
小尺寸、高熱效率的封裝可實現(xiàn)更高
密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現(xiàn)
更小的最終產(chǎn)品
相關(guān)型號
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