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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP2900UVQ 雙P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMP2900UVQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP2900UVQ
  • 名稱 雙P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT563

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2900UVQ  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP2900UVQ 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMP2900UVQ
名稱                  雙P  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  SOT563


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.85 A
PD @TA = +25°C (W) 0.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 750 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1050 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1500 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
CISS Typ (pF) 49 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V


主要特征
雙 P 溝道 MOSFET
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極


相關(guān)型號(hào)
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