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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMP3007SFG 30V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMP3007SFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP3007SFG
  • 名稱 30V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP3007SFG 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP3007SFG 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMP3007SFG
名稱                  30V P  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  PowerDI3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 70 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 31.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 64.2 nC
CISS Typ (pF) 2826 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低 R DS(ON) – 確保狀態(tài)損失最小化
小外形熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%,從而實(shí)現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
ESD保護(hù)柵極


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