產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP3021SPDW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS( on) )，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMP3021SPDW
名稱 雙P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 39 A
PD @TA = +25°C (W) 2.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 18 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28(@5V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 17.4(@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Typ (pF) 1799 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
熱效率封裝冷卻器運(yùn)行應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(on) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
用于改進(jìn)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)面
ESD保護(hù)柵極
相關(guān)型號(hào)
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