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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP3028LPSW P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMP3028LPSW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP3028LPSW
  • 名稱 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI5060-8 (SWP) (Type UX)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP3028LPSW 

 
產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP3028LPSW  這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合用于電源管理和負(fù)載開關(guān)。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP3028LPSW
名稱                  P  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  PowerDI5060-8 (SWP) (Type UX)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 21 A
PD @TA = +25°C (W) 1.28 W
PD @TC = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 28 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 38 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 22 nC
CISS Typ (pF) 1421 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低 RDS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
小外形熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)
更高密度的最終產(chǎn)品
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) – 確保更高的可靠性


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