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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP32D4SFB P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMP32D4SFB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP32D4SFB
  • 名稱 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X1-DFN1006-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP32D4SFB 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP32D4SFB 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMP32D4SFB
名稱                  P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  X1-DFN1006-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 16000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.3 nC
CISS Typ (pF) 51 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
超小型表面貼裝封裝
ESD保護(hù)柵極


相關(guān)型號(hào)
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