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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP32D8UFZ P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMP32D8UFZ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP32D8UFZ
  • 名稱 P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 X2-DFN0606-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP32D8UFZ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP32D8UFZ 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS ( ON )),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP32D8UFZ
名稱                  P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  X2-DFN0606-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.200 A
PD @TA = +25°C (W) 0.29 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 6000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 7000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.35 nC
CISS Typ (pF) 17 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低封裝外形,最大封裝高度 0.42mm
62mm x 0.62mm 封裝尺寸
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓,最大值 -1.0V
ESD保護柵極


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