產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMT10H032LFVW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMT10H032LFVW
名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 17 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 32 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 50 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.9 nC
CISS Typ (pF) 683 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
小外形熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
用于改進(jìn)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)面
相關(guān)型號(hào)
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DMT10H025LSS
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DMT10H032LFVW
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DMT10H072LFV
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DMT15H017LPS
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DMT15H053SSS
DMT15H067SSS
DMT2004UFDF
DMT2004UFG
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DMT3003LFG
DMT3003LFGQ
DMT3004LFG
DMT3004LPS
