產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT10H072LFV 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMT10H072LFV
名稱 100V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.7 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 20 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
PD @TC = +25°C (W) 37.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 62 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 109 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 4.5 nC
CISS Typ (pF) 228 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
低 RDS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
低導(dǎo)通電阻
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