產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT12H007LPS 描述和應(yīng)用 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMT12H007LPS
名稱 120V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI?5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 120 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 90 A
PD @TA = +25°C (W) 2.9 W
PD @TC = +25°C (W) 96 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 7.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 14.1 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 49 nC
CISS Typ (pF) 3224 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 60 V
主要特征
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
熱效率高的封裝 – 運行溫度更低的應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
<1.1mm 封裝外形 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
相關(guān)型號
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