產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT2004UFG 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMT2004UFG
名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 24 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 70 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.55 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.45 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 29.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 53.7 nC
CISS Typ (pF) 1683 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低 R DS(ON) – 確保導(dǎo)通狀態(tài)損耗最小化
小尺寸熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
相關(guān)型號
DMS2095LFDB
DMS2120LFWB
DMS2220LFDB
DMS3014SFGQ
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DMT10H009LK3
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DMT10H009LSS
DMT10H009SCG
DMT10H009SK3
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DMT10H009SSS
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DMT10H010LK3
DMT10H010LPS
DMT10H010LSS
DMT10H010LSSQ
DMT10H010SPS
DMT10H014LSS
DMT10H015LCG
DMT10H015LFG
DMT10H015LK3
DMT10H015LPS
DMT10H015LSS
DMT10H015SK3
DMT10H015SPS
DMT10H017LPD
DMT10H025LK3
DMT10H025LSS
DMT10H025SK3
DMT10H025SSS
DMT10H032LDV
DMT10H032LFDF
DMT10H032LFVW
DMT10H032LK3
DMT10H032LSS
DMT10H032SFVW
DMT10H052LFDF
DMT10H072LFDF
DMT10H072LFDFQ
DMT10H072LFV
DMT10H4M5LPS
DMT10H9M9LCT
DMT10H9M9SCT
DMT10H9M9SH3
DMT12H007LPS
DMT12H007SPS
DMT12H060LCA9
DMT12H060LFDF
DMT12H065LFDF
DMT12H090LFDF4
DMT15H017LPS
DMT15H017LPSW
DMT15H017SK3
DMT15H035SCT
DMT15H053SK3
DMT15H053SSS
DMT15H067SSS
DMT2004UFDF
DMT2004UFG
DMT2004UFV
DMT2004UPS
DMT2005UDV
DMT3002LPS
DMT3003LFG
DMT3003LFGQ
DMT3004LFG
DMT3004LPS
