產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH10H009LFG 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH10H009LFG
名稱 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 55 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
PD @TC = +25°C (W) 39 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 12.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 41 nC
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
低 RDS(ON) – 確保導(dǎo)通狀態(tài)損耗最小化
優(yōu)秀的 Qgd ? RDS(ON) 產(chǎn)品 (FOM)
DC/DC 轉(zhuǎn)換器的先進(jìn)技術(shù)
小外形熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高
密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 啟用所占用的電路板面積的 33%
更小的最終產(chǎn)品
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試
確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
相關(guān)型號(hào)
DMT64M1LPSW
DMT64M2LPSW
DMT64M8LCG
DMT64M8LSS
DMT67M8LCG
DMT67M8LCGQ
DMT67M8LK3
DMT67M8LPSW
DMT67M8LSS
DMT68M8LFV
DMT68M8LPS
DMT68M8LSS
DMT69M5LCG
DMT69M5LFVW
DMT69M5LFVWQ
DMT69M5LH3
DMT69M8LFV
DMT69M9LPDW
DMT8007LPSW
DMT8008LFG
DMT8008LK3
DMT8008LPS
DMT8008LSS
DMT8008SCT
DMT8008SK3
DMT8008SPS
DMT8012LFG
DMT8012LK3
DMT8012LPS
DMT8012LSS
DMT8030LFDF
DMTH10H003SPSW
DMTH10H005LCT
DMTH10H005SCT
DMTH10H009LFG
DMTH10H009LPS
DMTH10H009LPSQ
DMTH10H009SPS
DMTH10H009SPSQ
DMTH10H010LCT
DMTH10H010LCTB
DMTH10H010LPS
DMTH10H010SCT
DMTH10H010SPS
DMTH10H010SPSQ
DMTH10H015LK3
DMTH10H015LPS
DMTH10H015SK3
DMTH10H015SK3Q
DMTH10H015SPS
DMTH10H015SPSQ
DMTH10H017LPD
DMTH10H017LPDQ
DMTH10H025LK3
DMTH10H025LK3Q
DMTH10H025LPS
DMTH10H025LPSQ
DMTH10H025SK3
