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DMTH10H1M7STLW 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH10H1M7STLW

--- 產品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH10H1M7STLW
  • 名稱 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 POWERDI1012-8 (TOLL)

--- 產品詳情 ---

DMTH10H1M7STLW 

產品簡介
DIODES 的 DMTH10H1M7STLW 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時保持卓越的開關性能。該器件非常適合用于筆記本電腦電池電源管理和負載開關。

 

產品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMTH10H1M7STLW
名稱                  100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地                  臺灣
封裝                   POWERDI1012-8 (TOLL)

 

產品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 250 A
PD @TA = +25°C (W) 6 W
PD @TC = +25°C (W) 250 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 147 nC
CISS Typ (pF) 9871 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度
環(huán)境的理想選擇
生產中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 –
確保最終應用更加可靠和穩(wěn)健
高轉換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
用于改進光學檢測的可潤濕側面


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