產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH10H1M7STLWQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，并受 PPAP 支持，非常適合用于：
電機(jī)控制
直流-直流轉(zhuǎn)換器
能源管理

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMTH10H1M7STLWQ
名稱                  100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                   POWERDI?1012-8 (TOLL)

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 250 A
PD @TA = +25°C (W) 6 W
PD @TC = +25°C (W) 250 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 2 V
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 147 nC
CISS Typ (pF) 9871 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V

主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度
環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試 –
確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
用于改進(jìn)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)面

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