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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMTH3004LFG N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMTH3004LFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMTH3004LFG
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH3004LFG 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH3004LFG 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMTH3004LFG
名稱                  N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  PowerDI?3333-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 75 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
PD @TC = +25°C (W) 50 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 8.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 44 nC
CISS Typ (pF) 2370 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低RDS(ON)--確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
卓越的Qgd x RDS(ON)產(chǎn)品(FOM)
小尺寸熱效封裝實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占SO-8啟用占用的板面積的33%
較小的最終產(chǎn)品
100%UIS(雪崩)額定值


相關(guān)型號(hào)
DMTH3004LFG
DMTH3004LFGQ
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DMTH3004LK3Q
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DMTH31M7LPSQ
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DMTH32M5LPSQ
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DMTH4001STLWQ
DMTH4002SCTB
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DMTH4004LK3
DMTH4004LK3Q
DMTH4004LPS
DMTH4004LPSQ
DMTH4004SCTB
DMTH4004SCTBQ
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DMTH4004SK3Q
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DMTH4005SK3
DMTH4005SK3Q
DMTH4005SPS
DMTH4005SPSQ

 

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