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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH4002SCTB 40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH4002SCTB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH4002SCTB
  • 名稱 40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TO263AB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH4002SCTB 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH4002SCTB 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON)),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMTH4002SCTB
名稱                  40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  TO263AB


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 192 A
PD @TA = +25°C (W) 6 W
PD @TC = +25°C (W) 166.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 77.5 nC
CISS Typ (pF) 7180 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
低 RDS(ON) – 最大限度地減少功率損耗
低 Qg – 最大限度地減少開關(guān)損耗


相關(guān)型號
DMTH3004LFG
DMTH3004LFGQ
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DMTH3004LK3Q
DMTH3004LPS
DMTH3004LPSQ
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DMTH32M5LPSQ
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DMTH4001STLWQ
DMTH4002SCTB
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DMTH4004LK3
DMTH4004LK3Q
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