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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH4007SPD 40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMTH4007SPD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMTH4007SPD
  • 名稱 40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI® 5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH4007SPD 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH4007SPD 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMTH4007SPD
名稱                  40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  PowerDI? 5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14.2 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 45 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
PD @TC = +25°C (W) 37.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8.6 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 41.9 nC
CISS Typ (pF) 2026 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開關(guān)速度快


相關(guān)型號(hào)
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DMTH4014SPSWQ
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DMTH41M2SPSQ
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DMTH41M8SPSQ
DMTH42M4SPS
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DMTH43M8LK3Q
DMTH43M8LPS
DMTH43M8LPSQ

 

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