--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMTH4008LFDFW
- 名稱 40V N 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH4008LFDFW 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低
電阻(RDS(ON))并且仍然保持優(yōu)異的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMTH4008LFDFW
名稱 40V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 18 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 14.2 nC
CISS Typ (pF) 1030 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V
主要特征
額定溫度為+175°C–非常適合高環(huán)境溫度環(huán)境
100%無阻尼感應開關,生產(chǎn)測試-
確保更加可靠和穩(wěn)健的最終應用程序
低RDS(ON)–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
0.6mm輪廓–適用于低輪廓應用
PCB占地面積4mm2
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