產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH4M70SPGWQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，并由 PPAP 支持。

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    DMTH4M70SPGWQ
名稱                    40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                     PowerDI?8080-5

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 460 A
PD @TA = +25°C (W) 5.6 W
PD @TC = +25°C (W) 428 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 0.7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 2 V
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 117.1 nC
CISS Typ (pF) 10053 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V

主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度
環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試 —
確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON)——最大限度地減少功率損耗
用于改進(jìn)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)面
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入電容

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