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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH6004SCTBQ 60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH6004SCTBQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH6004SCTBQ
  • 名稱 60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TO263AB (D2PAK)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH6004SCTBQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH6004SCTBQ 該 MOSFET 專為滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求而設(shè)計(jì)。它符合 AECQ101 標(biāo)準(zhǔn),并由 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    DMTH6004SCTBQ
名稱                    60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    TO263AB (D2PAK)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 4.7 W
PD @TC = +25°C (W) 136 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3.4 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 95.4 nC
CISS Typ (pF) 4556 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
額定溫度為 175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低 R DS(ON) – 最大限度地減少功率損耗
低 Q g – 最大限度地減少開關(guān)損耗


相關(guān)型號
DMTH6004SCT
DMTH6004SCTB
DMTH6004SCTBQ
DMTH6004SK3
DMTH6004SK3Q
DMTH6004SPS
DMTH6004SPSQ
DMTH6005LCT
DMTH6005LFG
DMTH6005LK3
DMTH6005LK3Q
DMTH6005LPS
DMTH6005LPSQ
DMTH6006LPSW
DMTH6006LPSWQ
DMTH6006SPS
DMTH6009LK3
DMTH6009LK3Q
DMTH6009LPS
DMTH6009LPSQ
DMTH6009SPS
DMTH6010LK3
DMTH6010LK3Q
DMTH6010LPD
DMTH6010LPDQ
DMTH6010LPDW
DMTH6010LPDWQ
DMTH6010LPS
DMTH6010LPSQ
DMTH6010LPSW
DMTH6010LPSWQ

 

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