產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH6005LFG 該MOSFET旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻（RDS（on）），同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，是高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH6005LFG
名稱 60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 19.7 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 2.38 W
PD @TC = +25°C (W) 75 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4.1 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 23.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 48.7 nC
CISS Typ (pF) 3150 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
生產(chǎn)中的100%無(wú)阻尼感應(yīng)開(kāi)關(guān)（UIS）測(cè)試-確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低RDS（ON）–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸熱效封裝實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占SO-8板面積的33%，實(shí)現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
相關(guān)型號(hào)
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DMTH6009LPSQ
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DMTH6010LK3
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DMTH6010LPD
DMTH6010LPDQ
DMTH6010LPDW
DMTH6010LPDWQ
DMTH6010LPS
DMTH6010LPSQ
DMTH6010LPSW
DMTH6010LPSWQ
