產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH6010LPD 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH6010LPD
名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.1 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 47.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
PD @TC = +25°C (W) 37.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 16 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40.2 nC
CISS Typ (pF) 2090 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低輸入電容
開關(guān)速度快
相關(guān)型號(hào)
DMTH6004SCT
DMTH6004SCTB
DMTH6004SCTBQ
DMTH6004SK3
DMTH6004SK3Q
DMTH6004SPS
DMTH6004SPSQ
DMTH6005LCT
DMTH6005LFG
DMTH6005LK3
DMTH6005LK3Q
DMTH6005LPS
DMTH6005LPSQ
DMTH6006LPSW
DMTH6006LPSWQ
DMTH6006SPS
DMTH6009LK3
DMTH6009LK3Q
DMTH6009LPS
DMTH6009LPSQ
DMTH6009SPS
DMTH6010LK3
DMTH6010LK3Q
DMTH6010LPD
DMTH6010LPDQ
DMTH6010LPDW
DMTH6010LPDWQ
DMTH6010LPS
DMTH6010LPSQ
DMTH6010LPSW
DMTH6010LPSWQ
