產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH69M8LFVW 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH69M8LFVW
名稱(chēng) 60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?3333-8 (SWP) (Type UX)
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15.9 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 45.4 A
PD @TA = +25°C (W) 3.6 W
PD @TC = +25°C (W) 29.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 33.5 nC
CISS Typ (pF) 1925 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 +175°C——高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試 — 確保最終應(yīng)用更可靠、更穩(wěn)健
低導(dǎo)通電阻
小外形熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
用于改進(jìn)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)面
相關(guān)型號(hào)
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DMWS120H100SM4
DTM3A25P20NFDB
