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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXMN10A07Z 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): ZXMN10A07Z

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) ZXMN10A07Z
  • 名稱(chēng) 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT89

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMN10A07Z 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXMN10A07Z 新一代 Trench MOSFET 采用獨(dú)特的結(jié)構(gòu),結(jié)合了低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的優(yōu)點(diǎn)。這使得它們非常適合高效率、低壓電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    ZXMN10A07Z
名稱(chēng)                    100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT89


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 700 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 900 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 2.9 nC
CISS Typ (pF) 138 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低閾值
切換速度快
低門(mén)驅(qū)動(dòng)器


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