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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXMN3A01Z N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: ZXMN3A01Z

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXMN3A01Z
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT89

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMN3A01Z 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXMN3A01Z該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(on) ),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    ZXMN3A01Z
名稱                    N 溝道增強型 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    SOT89


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.12 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 120 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 180 mΩ
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5 nC


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低閾值
切換速度快
低門驅(qū)動器


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