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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXMN4A06GQ 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): ZXMN4A06GQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) ZXMN4A06GQ
  • 名稱 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT223

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMN4A06GQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXMN4A06GQ這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通 電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān) 性能,使其成為高效電源管理 應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    ZXMN4A06GQ
名稱                    40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT223


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 50 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 75 mΩ
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 19 nC


主要特征
低導(dǎo)通電阻
快速切換速度
低閾值
低門驅(qū)動(dòng)器


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