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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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2N7002DW 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): 2N7002DW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) 2N7002DW
  • 名稱(chēng) 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT363

--- 產(chǎn)品詳情 ---

2N7002DW  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 2N7002DW該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    2N7002DW
名稱(chēng)                    雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT363


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.23 A
PD @TA = +25°C (W) 0.31 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 13500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7500 @5V mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
CISS Typ (pF) 22 @ 25V pF


主要特征
雙 N 溝道 MOSFET
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
超小型表面貼裝封裝


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