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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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2N7002DWQ 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): 2N7002DWQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) 2N7002DWQ
  • 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT363

--- 產(chǎn)品詳情 ---

2N7002DWQ  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 2N7002DWQ該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),由 PPAP 支持,非常適合用于電機(jī)控制和電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    2N7002DWQ
名稱                    雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT363


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.23 A
PD @TA = +25°C (W) 0.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 13500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7500 @5V mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.223 nC
CISS Typ (pF) 22 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
雙 N 溝道 MOSFET
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
超小型表面貼裝封裝


相關(guān)型號(hào)
2N7002DW
2N7002DWK
2N7002DWQ
2N7002DWS
2N7002VAC
2N7002VC
BSS138DW
BSS138DWK
BSS138DWQ
BSS8402DW
BSS84DW
BSS84DWQ
BSP75G
BSP75GQ
BSP75N
BSP75NQ
ZXMS6001N3
ZXMS6001N3Q
ZXMS6002G
ZXMS6003G
ZXMS6004DG
ZXMS6004DGQ
ZXMS6004DGQ-13
ZXMS6004DN8
ZXMS6004DN8Q
ZXMS6004DT8
ZXMS6004DT8Q
ZXMS6004FF
ZXMS6004FF-7
ZXMS6004FFQ
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ZXMS6004N8
ZXMS6004N8Q
ZXMS6004SG
ZXMS6004SGQ

 

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