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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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D12V0H2U3SO 雙 ESD 保護(hù)二極管

型號(hào): D12V0H2U3SO

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) D12V0H2U3SO
  • 名稱 雙 ESD 保護(hù)二極管
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

D12V0H2U3SO  

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 D12V0H2U3SO 是一款雙電壓抑制器,旨在保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線路的組件免受靜電放電 (ESD) 的影響。該器件將正瞬態(tài)電壓鉗位至略高于邏輯電平電源的電壓,并將負(fù)瞬態(tài)電壓鉗位至低于接地的二極管壓降。該器件還可以通過僅連接引腳 1 至 2 用作雙向抑制器。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    D12V0H2U3SO
名稱                    雙 ESD 保護(hù)二極管
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20±s Max 12
AEC Qualified Yes
Configuration Dual (Uni-Directional)
Channel Input CapacitanceCT Typ(pF) 78 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 12 V
Breakdown VoltageVBR Min(V) 14.2 V
Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 25 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge(kV) 8 kV


主要特征
每條線路 300 W 峰值功耗(8/20μs 波形)
提供符合 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)的 ESD 保護(hù):空氣 ±15kV,接觸 ±8kV
2通道單向ESD保護(hù)
超低漏電流:I RM < 1 uA @ V BR


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