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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DSS3515MQ 15V PNP低 VCESAT 晶體管

型號(hào): DSS3515MQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DSS3515MQ
  • 名稱(chēng) 15V PNP低 VCESAT 晶體管
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X1-DFN1006-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DSS3515MQ  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DSS3515MQ這種雙極結(jié)型晶體管(BJT)設(shè)計(jì)用于滿足汽車(chē)應(yīng)用的要求。


產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    DSS3515MQ
名稱(chēng)                    15V PNP低 VCESAT 晶體管
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    X1-DFN1006-3

 

產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity PNP
VCEO, VCES (V) 15
IC (A) 0.5
ICM (A) 1
PD (W) 0.4
hFE (Min) 150
hFE (@ IC) (A) 0.1
hFE(Min 2) 90
hFE (@ IC2) (A) 0.5
VCE(sat) Max (mV) 25
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.01/0.5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 250
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 0.5/50
fT (MHz) 340
RCE(sat) (mΩ) 500


主要特征
BVCEO > -15V
IC = -500mA 高集電極電流
ICM = -1A 峰值脈沖電流
PD = 1000mW 功耗
低集電極-發(fā)射極飽和電壓,VCE(SAT)
0.60mm2 封裝尺寸,比 SOT23 小 13 倍
0.5mm 高度封裝最大限度地減少板外輪廓
互補(bǔ) NPN 型 DSS2515M

 


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