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DSS4160FDBQ 60V 雙NPN 低SAT 晶體管

型號: DSS4160FDBQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DSS4160FDBQ
  • 名稱 60V 雙NPN 低SAT 晶體管
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (Type B)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DSS4160FDBQ  

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的DSS4160FDBQ這種雙極結(jié)型晶體管(BJT)設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用的要求。


產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    DSS4160FDBQ
名稱                    60V 雙NPN 低SAT 晶體管
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    U-DFN2020-6 (Type B)

 

產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN + NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 1
ICM (A) 1.5
PD (W) 1.6
hFE (Min) 290
hFE (@ IC) (A) 0.1
hFE(Min 2) 150
hFE (@ IC2) (A) 0.5
VCE(sat) Max (mV) 120
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.5/50
VCE(sat) (Max.2) (mV) 240
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 1/50
fT (MHz) 175
RCE(sat) (mΩ) 180


主要特征
BV首席執(zhí)行官> 60V
I C = 1A 高連續(xù)集電極電流
R CE( sat) = 180mΩ,可實(shí)現(xiàn)低等效導(dǎo)通電阻
低飽和電壓 VCE ( sat) < 220mV @ 1A
P D高達(dá) 2.47W,適合高功率應(yīng)用
R θ JA效率比 SOT26 低 40%
適用于薄型應(yīng)用的薄型 0.6mm 高封裝

 


相關(guān)型號
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