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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DXT2011P5Q 100V NPN中功率 低飽和 晶體管

型號(hào): DXT2011P5Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DXT2011P5Q
  • 名稱 100V NPN中功率 低飽和 晶體管
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI®5

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DXT2011P5Q  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DXT2011P5Q這種雙極結(jié)型晶體管(BJT)設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用的要求。


產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    DXT2011P5Q
名稱                    100V NPN中功率 低飽和 晶體管
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    PowerDI?5

 

產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 6
ICM (A) 10
PD (W) 3.2
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 2
hFE(Min 2) 30
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 65
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 1/100
VCE(sat) (Max.2) (mV) 125
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/100
fT (MHz) 130


主要特征
BVCEO > 100V
IC = 6A 高連續(xù)集電極電流
ICM = 10A 峰值集電極電流
PD高達(dá)3.2W
比SOT223小43%;比 TO252 小 60%
最大高度僅為1.1mm

 


相關(guān)型號(hào)
DSS60600MZ4Q
DSS60601MZ4Q
DXT2011P5Q
DXT5551P5Q
DXT651Q
DXT751Q
DXTC3C100PDQ
DXTN10060DFJBQ
DXTN10060DFJBWQ
DXTN3C100PDQ
DXTN3C100PSQ
DXTN3C60PSQ
DXTP03200BP5Q
DXTP07025BFGQ
DXTP07040CFGQ
DXTP07060BFGQ
DXTP07100BFGQ
DXTP22040CFGQ
DXTP22040DFGQ
DXTP3C100PDQ
DXTP3C100PSQ
DXTP3C60PSQ
DZT5551Q
DZTA42Q
FCX1053AQ
FCX458Q
FCX493Q
FCX558Q
FCX591AQ
FMMT38CQ
FMMT411FDBWQ
FMMT411Q
FMMT459Q
FMMT491Q
FMMT494Q
FMMT560Q
FMMT591Q
FMMT596Q
FMMT614Q
FMMT634Q
FMMTA92Q
FZT1053AQ
FZT603Q
FZT651Q
FZT653Q
FZT751Q
FZT855Q
MJD2873Q
MJD31CHQ
MJD31CUQ
MJD32CQ
MJD32CUQ
MJD41CQ
MJD42CQ
MMBT5551Q
MMBTH10Q
MMDT2222VQ
 

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