產(chǎn)品簡介
DIODES 的ZX5T851GQ這種雙極結型晶體管（BJT）設計用于滿足汽車應用的嚴格要求。

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    ZX5T851GQ
名稱                    60V NPN中功率低飽和晶體管
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    SOT223

產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 6
ICM (A) 20
PD (W) 3
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 55
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 135
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 35

主要特征
BVCEO > 60V
IC = 6A 高連續(xù)集電極電流
ICM = 20A 峰值脈沖電流
低飽和電壓 VCE(sat) < 60mV @ 1A
RSAT = 35mΩ，可實現(xiàn)低等效導通電阻
hFE 指定高達 10A，可實現(xiàn)高增益保持
互補 PNP 類型：ZX5T951GQ

相關型號
FZT855Q
MJD2873Q
MJD31CHQ
MJD31CUQ
MJD32CQ
MJD32CUQ
MJD41CQ
MJD42CQ
MMBT5551Q
MMBTH10Q
MMDT2222VQ
MMDT2227Q
MMDT3904Q
MMDT3906Q
MMDT3946Q
MMDT4401Q
MMDT5401Q
MMDT5451Q
MMST3904Q
MMSTA06Q
MMSTA56Q
ZX5T1951GQ
ZX5T851GQ
ZX5T951GQ
ZXT10P20DE6Q
ZXT951KQ
FES1DEQ
FES2DEQ
FRS1MEQ
MURS160Q
RS1JDFQ
RS1MDFQ
RS1MEWFQ
RS1MSWFMQ
US1DWFQ
US1JDFQ
US1MDFQ
US2JDFQ
ZXGD3003E6Q
ZXGD3004E6Q
ZXGD3006E6Q