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ZXT10P20DE6Q 20V PNP 低飽和 晶體管

型號: ZXT10P20DE6Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXT10P20DE6Q
  • 名稱 20V PNP 低飽和 晶體管
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXT10P20DE6Q  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的ZXT10P20DE6Q這種雙極結(jié)型晶體管(BJT)設(shè)計用于滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求。


產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    ZXT10P20DE6Q
名稱                    20V PNP 低飽和 晶體管
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    SOT26

 

產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity PNP
VCEO, VCES (V) 20
IC (A) 2.5
ICM (A) 6
PD (W) 1.1
hFE (Min) 300
hFE (@ IC) (A) 0.1
hFE(Min 2) 150
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 250
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 1.5/50
fT (MHz) 180
RCE(sat) (mΩ) 96

 

主要特征
BV首席執(zhí)行官> -20V
I C = -2.5A 連續(xù)集電極電流
I CM = -6A 峰值脈沖電流
R CE(sat) = 96mΩ,可實現(xiàn)低等效導通電阻
低飽和電壓(-220mV max @ -1A)
h FE特性高達 -6A,可實現(xiàn)高電流增益保持

 

相關(guān)型號
FZT855Q
MJD2873Q
MJD31CHQ
MJD31CUQ
MJD32CQ
MJD32CUQ
MJD41CQ
MJD42CQ
MMBT5551Q
MMBTH10Q
MMDT2222VQ
MMDT2227Q
MMDT3904Q
MMDT3906Q
MMDT3946Q
MMDT4401Q
MMDT5401Q
MMDT5451Q
MMST3904Q
MMSTA06Q
MMSTA56Q
ZX5T1951GQ
ZX5T851GQ
ZX5T951GQ
ZXT10P20DE6Q
ZXT951KQ
FES1DEQ
FES2DEQ
FRS1MEQ
MURS160Q
RS1JDFQ
RS1MDFQ
RS1MEWFQ
RS1MSWFMQ
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