型號簡介
Sumitomo的TC1201是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT）芯片，其具有非常低的噪聲系數(shù)、高相關增益和高動態(tài)范圍。該設備可用于高達30 GHz的電路，以及適用于低噪聲和中等功率放大器應用。所有設備都經(jīng)過100%直流測試，以確保質量一致。所有焊盤均鍍金
用于熱壓或熱聲引線接合。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo
型號 TC1201P0912
名稱 砷化鎵HEMT
產(chǎn)地 日本
封裝 Chip
型號參數(shù)
低噪聲系數(shù)：NF=0.5 dB 12 GHz時的典型值
高相關增益：Ga=12 dB，典型頻率為12 GHz
高動態(tài)范圍：1 dB壓縮功率P-1=21.5 dBm，12 GHz
擊穿電壓：BVDGO≥9 V
Lg=0.25μm，Wg=300μm
全金金屬化，實現(xiàn)高可靠性
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試
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